eting，影响霍尔电压的负效应有哪些？
1，简单说导体就是电阻小,电流容易直接通过,而半导体比导体电阻大比绝缘体电阻小.要导通还需其他激励信号.
霍尔是有外部的磁场变化激励下才能改变输出电流大小,如用导体的话,怎么控制它导通?
2，影响霍耳电压的副效应有：不等电势效应引起的电势差、厄廷豪森（etinghausen）效应引起的电势差、能斯特（nernst）效应引起的电势差、里纪——勒杜克（righi—leduc）效应产生的电势差。
3，在一定的工作电流ih下，霍尔电压uh与外磁场磁感应强度h成正比。这就是霍尔效应检测磁场的原理。
在一定的外磁场中，霍尔电压uh与通过霍尔片的电流强度ih（工作电流）成正比。这就霍尔效应检测电流的原理。
由于霍尔效应的建立需要的时间仅为10-12s，因此使用霍尔元件时可以用直流电，也可以用交流电。若工作电流用交流电ih=i0sinωt，则所得的霍尔电压也是交变的。在磁场方向与电流方向垂直的条件下进行，这时霍尔电压更大，因此测量时应使霍尔片平面与被测磁感应强度矢量b的方向垂直，这样的测量才能得到正确的结果。
袁良杰个人资料？
袁良杰，男，1967年09月26日出生，理学博士、教授。
人物经历
学科专业：化学、无机化学 应用化学
研究方向
研究方向： ① 固体化学 ② 材料化学 ③ 电子封装材料化学
主讲课程
1．本科生
无机合成化学；普通化学；仪器分析实验；普通化学实验；化学综合实验。
2．研究生
固体化学；仪器分析实验
3． 参编教材
无机合成化学, 武汉大学出版社, 2004。
主要贡献
1．Preparation of spherical silica for Semiconductor (Hubei Province 1995).
2．Preparation of high pure amorphous spherical silica for LSI (Hubei Province 1997)
3．Preparation of high pure amorphous spherical silica for ULSI (863 project, the ministry of science and technology of China 2002- 2003).
4．Preparation of spherical silica for advanced sealing materials used for ULSI (863 project, the ministry of science and technology of China 2004- 2005).
主要获奖情况
近年来发表的主要科研论文
1. Liangjie Yuan, Keli Zhang, Qingye Wang, Jutang Sun, Luminescence properties of Tb3+ doped monosalicylates, J. the Chinese Rare Earth Society, 1999, 17, 738-740. (in Chinese)
2. Jutang Sun, Liangjie Yuan, Keli Zhang, The thermal decomposition mechani*** of zinc Phthalate, Thermochimica Acta. 2000, 343, 105-109.
3. Keli Zhang, Liangjie Yuan, Jutang Sun, Mechani*** of thermal decomposition of barium benzoate, J. Therm. Anal. Cal., 1999, 58, 287-292.
4. Jutang Sun, Liangjie Yuan, Keli Zhang, The thermal decomposition of zinc monosalicylates, Thermochimica Acta 1999, 333, 141.
5. Jin Li, Liangjie Yuan, Jutang Sun, Eu3+ doped Strontium Aluminate Phosphor with Red Luminescence, J. the Chinese Rare Earth Society, 1998, 16, 1093. (in Chinese)
6. Yuan Liangjie, Sun Jutang, Luminescence Properties of Salicylate Doped Zinc Benzoate, Spectroscopy Letters, 1998, 31(8):1733-6.
7. Liangjie Yuan, Jutang Sun, Keli Zhang, Luminescence properties of Tb3+-doped strontium pyromellitate, Spectrochim. Acta Part A, 1999, 55: 1193.
8. Jutang Sun, Wei Xie, Liangjie Yuan, Keli Zhang, Qingye Wang, Preparation and Luminescence properties of Tb3+-doped zinc salicylates, Mater. Sci. Eng. B, 1999, 64(3): 157-160.
9. Yuan Liangjie, Sun Jutang, Qingye Wang, Zhang Keli, Luminescence properties of Tb3+-doped strontium quinolinate, Spectroscopy Letters. 1999, 32(5):867-873.
10. Liangjie Yuan, Keli Zhang, Jutang Sun, Luminescence of Zinc and Europium composite a -thiophene carboxylate, Spectroscopy and Spectral Analysis, 2000, 20(6), 878-879. (in Chinese)
11. Liangjie Yuan, Jutang Sun, Keli Zhang,Luminescence of Tb3+ and Eu3+ doped amorphous zinc benzoates,Spectrochim. Acta Part A, 2003, 59(4):729.
12. Liangjie Yuan, Jutang Sun, et. al, Synthesis and luminescence of zinc and europium a -thiophene carboxylate polymer, Spectrochim. Acta Part A, 2003,59 (13): 2949-2953.
13. Liangjie Yuan, Zicheng Li, Jutang Sun, Keli Zhang，Yunhong Zhou,Synthesis and characterization of activated MnO2, Materials Letters, 2003,57/13~14:1945..
14. Liangjie Yuan, Mingcai Yin, Eting Yuan, Jutang Sun and Keli Zhang, Syntheses, Structures and Luminescence of Europium a-Thiophene Carboxylates Coordination Polymer and Supramolecular Compound, Inorganic Chimica Acta，2004,357 (1): 89-94.
15. Yin MC, Yuan LJ, Ai CC, et al. Synthesis, structure and luminescence properties of europium and zinc ionic complexes,Polyhedron, 2004,23 (4): 529-536.
Patents
1. Preparation of high pure amorphous spherical silica for ULSI. (awarded in 2002)
2. Preparation of activated MnO2. (awarded in 2004)
在产生霍尔效应时还产生哪些？
还会产生如下四种效应；
1、厄廷好森（Etinghausen）效应引起的电势差UE.由于电子实际上并非以同一速度v沿y轴负向运动,速度大的电子回转半径大,能较快地到达接点3的侧面,从而导致3侧面较4侧面集中较多能量高的电子,结果3、4侧面出现温差,产生温差电动势UE.可以证明UE∝IB.容易理解UE的正负与I和B的方向有关.
2、能斯特（Nernst）效应引起的电势差UN.焊点1、2间接触电阻可能不同,通电发热程度不同,故1、2两点间温度可能不同,于是引起热扩散电流.与霍耳效应类似,该热扩散电流也会在3、4点间形成电势差UN.若只考虑接触电阻的差异,则UN的方向仅与B的方向有关.
3、里纪-勒杜克（Righi-Leduc）效应产生的电势差UR.上述热扩散电流的载流子由于速度不同,根据厄廷好森效应同样的理由,又会在3、4点间形成温差电动势UR.UR的正负仅与B的方向有关,而与I的方向无关.
4、不等电势效应引起的电势差U0.由于制造上的困难及材料的不均匀性,3、4两点实际上不可能在同一条等势线上.因而只要有电流,即使没有磁场B,3、4两点间也会出现电势差U0.U0的正负只与电流I的方向有关,而与B的方向无关.
综上所述,在确定的磁场B和电流IS下,实际测出的电压是霍耳效应电压与副效应产生的附加电压的代数和.人们可以通过对称测量 ,即改变IS和磁场B的方向加以消除和减小副效应的影响。
