北京高压科学研究中心的研究人员与中美科学家合作利用压缩晶格诱发拓扑相变，在室温下将铬掺杂的铅硒体系的热电优值提高到1.7，远高于此前普遍认可的室温更高值。
这一发现不仅提供了一种提高热电优值的新 *** ，也为未来热电材料在室温下的技术应用，特别是解决手机相关微电子器件的发热问题带来曙光。
相关成果10月7日在线发表于《自然—材料》。
历史上，室温下更高热电优值长期在1附近徘徊，而解决像手机这类微电子器件的发热问题，迫切需要显著提高室温下的热电优值。
研究者选择1%铬掺杂的硒化铅作为研究对象，借助金刚石对顶砧高压装置，通过自主研发的高压热电性质综合测量系统，获得了像山峰一样的热电优值随压力变化的表现形状。他们发现，在施加压力作用下，热电优值先如爬坡般增加，到3万大气压附近达到更高值1.7，而后随着压力的进一步增加而缓慢下降。
该项研究将热电效应与拓扑绝缘体关联起来，同时发现了实现拓扑绝缘态的新途径，即采用压缩晶格这一洁净有效的 *** 。（闫洁）
